Produktų aprašymas

Silicio karbidas (dažnai sutrumpintas kaip SiC, o kitomis kalbomis žinomas kaip Siliziumcarbid, Carburo de Silicio arba Carbure de Silicium) yra universali pažangi medžiaga. Puslaidininkių gamybos kontekste silicio karbido luitai reiškia cilindrinį monokristalinį silicio karbidą, pagamintą naudojant kristalų auginimo metodus, pvz., fizinio garų transportavimo (PVT) metodą. Elektroninėms reikmėms šiam procesui reikalingos itin -aukšto grynumo pirmtakų medžiagos, kad būtų išauginti tam tikrų politipų luitai (pvz., 4H-SiC ir 6H-SiC), kurių grynumo lygis dažnai siekia 4N (99,99 %) ir 5 N (99,999 %) didelio našumo{11}}įrenginiams. Priešingai, pramoninės keramikos atveju sukepintas silicio karbidas arba reakcija surištas silicio karbidas gaminamas iš mažesnio grynumo miltelių, skirtų komponentams, pvz., mechaniniams sandarikliams. Monokristaliniai luitai naudojami kaip pirmtakų medžiaga silicio karbido substratams (plokštelėms) gaminti. Supjaustyti, sumalti ir poliruoti šie luitai tampa pagrindiniu puslaidininkinių lustų gamybos substratu. Silicio karbidas yra trečioji Jis ypač tinka ekstremalioms darbo aplinkoms, kuriose yra aukšta temperatūra, aukšta įtampa, aukštas dažnis ir didelė galia. Ši medžiaga yra įvairių formų, pvz., alfa silicio karbido, kubinio silicio karbido ir įprastų 4H-SiC ir 6H-SiC politipų, naudojamų elektronikoje.

produkto informacija

Produkto pavadinimas	Silicio karbido silicio kolonėlė
Spalva	Pritaikyta pagal kliento reikalavimus
dydis	Pritaikyta pagal kliento reikalavimus
Pakuotė	Dėžutė / padėklas / medinis dėklas (pagal kliento reikalavimus)
Pristatymo laikas	Standartinis produktas-Per 3 dienas
Daiktų dizainas	Pagal kliento brėžinį ar pavyzdžius
Savybės	Gera kokybė, žema kaina, kelios gamyklos, pristatykite jums pagal tą, kuri yra arčiausiai jūsų vietos
Taikymas	Pramoninė keramika
Sertifikatas	ISO, CE

Silicon Carbide Silicon Column

Pagrindiniai našumo parametrai ir medžiagų savybės

Pagrindiniai silicio karbido veikimo parametrai ir savybės, skirtos tiek elektronikai, tiek pramonei, yra išskirtinės:

Juostos tarpo plotis: silicio karbidas turi platų maždaug 3,2 elektronų voltų (eV) dažnių juostos tarpą (pagrindiniam 4H-SiC politipui), kuris yra maždaug tris kartus didesnis nei silicio (1,1 eV). Platus dažnių juostos tarpas reiškia, kad SiC įrenginiai gali stabiliai veikti aukštesnėje temperatūroje, esant itin mažai vidinei nešiklio koncentracijai, o tai žymiai sumažina srovės nuotėkio riziką. Norint pasiekti šį optimalų našumą, reikia naudoti didelio -grynumo (pvz., 4N, 5N) silicio karbidą, kad būtų kuo mažiau elektriškai aktyvių priemaišų.
Šilumos laidumas: Silicio karbido šilumos laidumas yra puikus, maždaug 3,7–4,9 W/(cm·K), daug didesnis nei silicio. Ši savybė yra labai svarbi silicio karbido kaitinimo elementams, silicio karbido vamzdžiams, naudojamiems kaip termoporos apsauginiai vamzdeliai, ir valdant šilumą galios įrenginiuose.
Sugedimo lauko stiprumas ir elektrinės savybės: SiC turi labai didelį gedimo elektrinio lauko stiprumą, apie 2,8 MV/cm. Tai leidžia sukurti efektyvius, kompaktiškus maitinimo įrenginius. Jo galimybės taip pat apima silicio karbido keraminių plokščių ir lakštų naudojimą reiklioms aplinkoms. Realizuotas skilimo stiprumas labai priklauso nuo medžiagos grynumo ir kristalų kokybės.
Mechaninis ir cheminis stabilumas: Silicio karbidas pasižymi dideliu kietumu (Moso ~ 9), dideliu tankiu ir dideliu atsparumu dilimui. Dėl šių silicio karbido medžiagų savybių jis idealiai tinka mechaniniams silicio karbido sandarikliams, guoliams, purkštukams, įvorėms ir įdėklams. Dėl cheminio inertiškumo jį galima naudoti silicio karbido tigliuose ir silicio karbido dengimui naudojant CVD ar kitus metodus.

tipiškas pritaikymas

Remiantis šiomis išskirtinėmis savybėmis, iš silicio karbido pagamintos medžiagos naudojamos aukštos{0}}galios puslaidininkiniams įrenginiams ir daugybei pramoninių keramikos komponentų gaminti.

Naujos energijos transporto priemonės ir elektrinė elektronika: tai didžiausia auganti rinka. Inverteriuose ir keitikliuose naudojami SiC puslaidininkiniai substratai (gaunami iš didelio -grynumo 4N/5N luitų). Tiekėjai, tokie kaip Infineon, Wolfspeed ir CREE, yra pagrindiniai veikėjai. Pramoninės SiC keramikos dalys taip pat randamos susijusiose sistemose.
Pramonės ir procesų technologija: naudojama susidėvėjimui{0}}atspari keramika, silicio karbido sandarikliai ir guoliai, purkštukai, silicio karbido plytos ir ugniai atsparios medžiagos bei siurblių ir vožtuvų komponentai. Silicio karbido tiekėjai ir gamintojai tiekia šias sukepintas arba reakcija-sujungtas dalis, kurioms paprastai nereikia elektroninio grynumo.
Nauja energija ir energijos saugykla: fotovoltiniuose keitikliuose ir saugojimo sistemose SiC įrenginiai (pagrįsti didelio{0}}grynumo substratais) pagerina efektyvumą. Silicio karbido kaitinimo elementai ir apsauginiai vamzdeliai naudojami aukštos-temperatūros pramoninėse krosnyse.
Oro erdvės, gynybos ir pažangiausios{0}}technologijos: naudojant aukštą-temperatūros toleranciją ir struktūrinį stabilumą, jis naudojamas silicio karbido kompozitams, optiniams komponentams ir šarvams gaminti.

Produktų parametrai

products parameters

Kokybės kontrolė

Griežtai laikydamiesi ISO 9001 kokybės vadybos sistemos, įgyvendiname visišką-procesų kokybės kontrolę, kad užtikrintume nuolatinį aukštos-kokybės produktų tiekimą:

• 100% žaliavų patikra, garantuojanti kokybę iš šaltinio
• Pažangių karšto {0}presavimo gamybos linijų naudojimas stabiliems ir patikimiems procesams užtikrinti
• Išsami vidinė{0}}bandymo sistema, apimanti tankio, kietumo ir mikrostruktūros analizę
• Galimybė gauti trečiųjų šalių{0}}galiojančius sertifikatus (įskaitant SGS, CE, ROHS ir kt., pateikiamus paprašius)

Esame įsipareigoję nuolat tobulinti savo valdymo sistemą, suteikdami klientams nuoseklų ir patikimą produkto garantiją.

quality control